DIC 2024展商丨越好電子，國產(chǎn)真空鍍膜設(shè)備主力軍
2024-04-22 00:00:00
INTRODUCTION 公司簡介
安徽越好電子裝備有限公司 越好電子專注于半導(dǎo)體真空設(shè)備及其關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用。公司創(chuàng)立之初，主要為國內(nèi)面板廠提供進口設(shè)備的維保服務(wù)。由于國際貿(mào)易形勢和成本因素，國內(nèi)泛半導(dǎo)體行業(yè)對于成套真空設(shè)備的需求日益迫切，越好電子基于設(shè)備服務(wù)業(yè)務(wù)的持續(xù)擴大以及良好的業(yè)界口碑，積極布局半導(dǎo)體、新型顯示、新能源等領(lǐng)域被國外壟斷的關(guān)鍵制程設(shè)備。 越好電子裝備主要技術(shù)及產(chǎn)品聚焦于真空薄膜沉積產(chǎn)業(yè)的機構(gòu)設(shè)計、電磁場、熱流物理仿真分析、電氣設(shè)計、光學(xué)系統(tǒng)、人機接口軟件、系統(tǒng)自動化控制、高真空設(shè)備等精密技術(shù)開發(fā)整合設(shè)備產(chǎn)品。憑借專業(yè)知識和技術(shù)能力，越好電子技術(shù)團隊成功地自主研發(fā)和制造了國內(nèi)首條8.6代PVD設(shè)備，打破了這一行業(yè)的國外壟斷。
PRODUCT 推薦產(chǎn)品
01 陣列式磁控濺射鍍設(shè)備 目前業(yè)界主流陣列磁控濺射鍍膜設(shè)備均為國外廠商，越好基于國產(chǎn)替代的背景，再現(xiàn)有資源下進行延伸，從基礎(chǔ)科學(xué)儲備開始，逐步進行對國外設(shè)備的替代和超越： 產(chǎn)品優(yōu)勢：越好電子Array Sputter具有傳輸更加穩(wěn)定，破片率更低，Particle更少，效率更高等優(yōu)點。產(chǎn)品目前主要應(yīng)用于大型面板顯示行業(yè)，為薄膜沉積提供了國產(chǎn)化解決方案。 02 R2R卷繞磁控濺射鍍膜設(shè)備 越好電子開發(fā)設(shè)計單腔雙輥卷繞鍍膜設(shè)備，著重鍍膜溫度控制，張力調(diào)節(jié)，靜電去除等關(guān)鍵參數(shù)，實現(xiàn)復(fù)合銅箔的雙面鍍銅生產(chǎn)。 基材材料：PET、PI等柔性材料； 基材厚度：2.8~30μm； 基材卷徑：≤Φ600mm； 基材寬度：15~1600mm； 有效濺鍍寬度：≤1800mm； 濺鍍材料：ITO、Si、Nb?Ox、Cu等； 膜厚均勻性：≤5%； 方阻均勻性：≤5%； 底壓（torr）：＜5*10-6（≤3hr）＜5*10-7（≤24hr）； 產(chǎn)品優(yōu)勢：提供客制化卷繞鍍膜設(shè)備及工藝開發(fā)。
03 半導(dǎo)體光罩用MASK磁控濺鍍設(shè)備 通過磁控濺射技術(shù)，再石英玻璃或其他透明基板上沉積超高均勻性的Cr系膜層，光密度3±0.05，且反射率均勻性要優(yōu)于2%@436nm。 基板尺寸：1300mm*950mm； 工藝腔室真空度：≤5*10-5Pa（8hr）； 膜厚均一性：≤2.5%@100nm； 膜厚重復(fù)性：≤1%。
04 電致變色技術(shù) 通過磁控濺射技術(shù)，在玻璃表面鍍SiO?、ITO、WO?、Li等膜層，在外加電場的作用下發(fā)生穩(wěn)定、可逆的顏色變化。 越好集設(shè)備研發(fā)、制造工藝、器件技術(shù)于一身，可提供EC智能玻璃制造快速復(fù)制的解決方案，并可全程提供技術(shù)、材料、裝備、工藝等方面的支持和服務(wù)。 基板尺寸：370*470mm（可定制化）； 基板厚度：0.3~4mm； 工藝腔室：≤5*10-4Pa（8hr）； 膜厚均一性：≤2.5%@100nm； 膜厚重復(fù)性：≤1%。
05 OLED枚葉式設(shè)備 高真空環(huán)境下進行水平基板傳送，于各獨立工藝腔室進行直立靜態(tài)鍍膜（Metal/ITO），具備多工藝多片數(shù)同時鍍膜特色；特殊設(shè)計Pin/Clamp/Mask系統(tǒng)，有效降低發(fā)塵以及靜電產(chǎn)生/獨立磁石調(diào)節(jié)機構(gòu)提升成膜均勻度。 設(shè)備尺寸：L*W*H：14370*12000*4300mm； 適用基板：1850*1500mm（可定制化）； 鍍膜種類：Ti/Al/Ti、ITO/Ag/ITO； 加熱方式：紅外燈管加熱（L1/L2）+銅管加熱（PM）； 抽空方式：機械泵+低溫泵（L1/L2）+低溫泵（TR）+低溫泵（PM）； 工藝氣體：Ar（Ti/Al/Ag）/O?（ITO）； 工藝溫度：RT（ITO/Ag）/62℃（Ti）/85℃（Al）。 產(chǎn)品特點：針對OLED工藝制程特點，對Particle、鍍膜穩(wěn)定性、異常破片、感知、生產(chǎn)效率等進行優(yōu)化。
06 原子層沉積（ALD）設(shè)備 在半導(dǎo)體先進制程領(lǐng)域，越好電子透過自主研究開發(fā)PECVD、ALD設(shè)備，已完成首套ALD鍍膜打樣線設(shè)備，搭配40.68MHZ RF Generator，適用于深槽結(jié)構(gòu)的薄膜生長，在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、薄膜厚度要求精準(zhǔn)的先進12寸芯片工藝中，可達到片內(nèi)及片間薄膜厚度均勻性均在1%以內(nèi)，不僅可以滿足當(dāng)前半導(dǎo)體國產(chǎn)化市場需求，還能在未來迎接更廣泛的應(yīng)用于面板、半導(dǎo)體、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域。 應(yīng)用場景： (1)半導(dǎo)體 I.觸媒催化材料 (Pt、Ir、Co、TiO?) II.高介電材料(Al?O?、HfO?、ZrO?、Ta?O?) (2)面板 I.氣體阻隔膜 (Al?O?) II.透明導(dǎo)電膜 (ZnO:Al、ITO) III.電致發(fā)光 (SrS:Cu、ZnS:Mn、ZnS:Tb) (3)生物醫(yī)藥 生醫(yī)圖層 (TiN、ZrN、CrN) 產(chǎn)品應(yīng)用：研發(fā)設(shè)計團隊有產(chǎn)品出貨實績，應(yīng)用于12寸晶圓生產(chǎn)，目前設(shè)備已經(jīng)完成打樣測試。
